近期闪迪和美光陆续发布涨价函，存储产品涨幅超预期，尤其是NAND涨价明显。以下为涨价情况、原因及未来趋势分析。
一、Q4存储产品涨价幅度上修
1. 手机端
LPDDR5：
此前预期：涨幅3~5%；
最新预期：涨幅上修至6~8%。
LPDDR4：
此前预期：涨幅10~15%；
最新预期：涨幅上修至30%。
原因：停产及制程切换影响，LP4供应紧张。
NAND：
此前预期：涨幅5~10%；
最新预期：涨幅上修至8~10%。
2. 服务器/PC端
DDR5：
此前预期：涨幅3~5%；
最新预期：涨幅上修至5~6%。
NAND：
此前预期：涨幅5~10%；
最新预期：涨幅上修至8~10%。
3. 利基DRAM
DDR4 8Gb：
此前预期：涨幅30%；
最新预期：涨幅上修至30~40%。
DDR4 4Gb：
此前预期：涨幅10~20%；
最新预期：涨幅上修至20%。
4. NAND Wafer
Q3：涨价10%；
Q4：涨幅从此前预期收窄调整为涨价15%。
二、2026年Q1存储价格预期
1. 手机端
LPDDR5：预计涨幅5~10%；
LPDDR4：预计涨幅20%；
NAND：预计涨幅5~10%。
2. 服务器端
DDR5：预计涨幅5%；
NAND：预计涨幅5~10%。
3. 利基DRAM
延续Q4高位：DDR4产品价格仍维持高位。
4. NAND Wafer
Q1涨价15%：延续Q4涨价趋势。
三、涨价超预期原因分析
1. 需求端
数据中心需求强劲：
DDR5、HBM、HDD、eSSD需求旺盛；
数据中心加速将HDD切换至eSSD，推动存储需求增长。
HDD产能刚性：
HDD缺货持续，价格上涨；
eSSD需求进一步增加。
2. 供给端
DRAM：
陆续停产DDR4、LPDDR4，供应紧张；
高端产品（DDR5、HBM）需求旺盛，产能利用率打满；
新增产能有限，供给压力大。
NAND：
海外大厂近几年无新建产能，产能利用率纪律性强；
当前产能利用率低于80%，供给不足。
相关公司：
一、存储模组及主控领域
1. 开普云
业务重点：专注于存储模组及数据管理解决方案。
优势：
在存储模组领域有较强的技术积累；
数据管理与存储结合，面向企业级市场。
机会：
随着数据中心需求增长，存储模组市场扩容；
企业级存储方案需求旺盛，为其提供长期增长动力。
2. 德明利
业务重点：存储模组及主控芯片研发。
优势：
在主控芯片领域具备竞争力；
产品覆盖消费级和企业级存储市场。
机会：
NAND涨价背景下，模组与主控芯片需求同步提升；
企业级存储市场扩张带动主控芯片出货量增长。
3. 香农芯创
业务重点：高端主控芯片及存储模组解决方案。
优势：
高端主控芯片技术领先，专注于企业级市场；
产品聚焦高性能存储，适配数据中心需求。
机会：
数据中心加速采用eSSD，推动高端主控芯片需求；
DDR5及HBM相关产品需求增长，为其带来增量市场。
4. 江波龙
业务重点：存储模组及闪存解决方案。
优势：
在消费级存储市场具有较高市场份额；
产品覆盖SSD、U盘、存储卡等多个领域。
机会：
NAND涨价带动模组产品价格提升；
消费级与企业级市场需求同步增长。
5. 佰维存储
业务重点：存储模组及解决方案。
优势：
专注于SSD及闪存模组领域；
产品覆盖消费级与工业级市场。
机会：
工业级存储需求增长，推动模组产品出货；
NAND涨价背景下，模组供应商议价能力提升。
6. 联芸科技
业务重点：主控芯片研发及存储解决方案。
优势：
在主控芯片领域技术领先；
产品覆盖消费级与企业级SSD市场。
机会：
数据中心需求增长推动主控芯片出货；
eSSD替代HDD趋势加速，为其提供长期增长动力。
二、存储设计领域
1. 兆易创新
业务重点：存储芯片设计及解决方案。
优势：
国内存储芯片设计龙头，产品覆盖NOR Flash、DRAM等领域；
技术积累深厚，具备较高市场份额。
机会：
DRAM及NAND涨价背景下，存储芯片设计企业受益；
数据中心及智能终端需求增长，为其带来持续利好。
2. 普冉股份
业务重点：存储芯片设计及研发。
优势：
专注于模拟芯片及存储芯片设计；
产品覆盖消费级与工业级市场。
机会：
NAND涨价推动存储芯片需求增长；
数据中心及智能设备市场扩张，为其提供增量市场。
3. 北京君正
业务重点：存储芯片及嵌入式处理器设计。
优势：
产品覆盖嵌入式存储及智能芯片领域；
技术积累较深，适配多种应用场景。
机会：
嵌入式存储需求增长，推动芯片设计企业出货；
数据中心及智能终端市场扩张，为其带来增长机会。
4. 东芯股份
业务重点：存储芯片设计及解决方案。
优势：
专注于NAND Flash及DRAM芯片设计；
产品覆盖消费级与工业级市场。
机会：
NAND涨价推动存储芯片设计企业受益；
数据中心及智能设备需求增长，为其提供长期利好。
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